Afin de maintenir sa suprématie en matière de technologie des puces, Samsung Electronics a annoncé vendredi le début de la construction d’un nouveau centre de recherche et développement (R&D) sur les semi-conducteurs à Giheung, en Corée du Sud. L’entreprise prévoit d’y investir environ 20 000 milliards de wons (14,8 milliards d’euros) d’ici 2028.
Avec son nouveau centre de R&D, Samsung Electronics aspire à dépasser les limites de l’échelle des semi-conducteurs. En outre, en 1992, le premier DRAM de 64 Mo au monde a été fabriqué dans les installations de Samsung Electronics à Giheung, au sud de Séoul et à proximité du campus de la division DS à Hwaseong.
C’est le début de la domination de l’entreprise sur les semi-conducteurs. Les trois principales installations de semi-conducteurs de Samsung dans la région métropolitaine devraient mieux fonctionner ensemble avec le nouveau centre de R&D de Giheung, la ligne de R&D de Hwaseong et le plus grand complexe de production de semi-conducteurs du monde à Pyeongtaek.
Le nouveau campus de Giheung, au sud de Séoul, pourrait très bien mener à des recherches approfondies sur les dispositifs et les procédures de prochaine génération pour les puces mémoire et les puces système, ainsi qu’au développement de technologies avancées basées sur une feuille de route à plus long terme, selon le plus grand fabricant de puces mémoire et le deuxième plus grand fabricant de puces sous contrat au monde.
Plus d’une centaine d’employés de Samsung Electronics étaient présents à la cérémonie, ainsi que le vice-président de Samsung Electronics, Jay Y. Lee, le président-directeur général, Kye Hyun Kyung, le président de la division mémoire, Jung-Bae Lee, le président de la division fonderie, Siyoung Choi, et le président de la division S.LSI, Yong-In Park.
Dominer l’avenir
Juste après la présentation, le vice-président Jay Y. Lee a rencontré les employés de la division DS pour discuter des innovations de l’entreprise. Selon le communiqué, lors d’une réunion spéciale avec les cadres de la division DS, ils ont parlé des problèmes de l’industrie mondiale des semi-conducteurs, du développement de la R&D et de la manière d’obtenir des technologies pour accroître le leadership des semi-conducteurs.
À l’occasion de cette annonce, Kye Hyun Kyung, président, chef de la division Device Solution, a déclaré :
Notre nouveau complexe de R&D ultramoderne deviendra un centre d’innovation où les meilleurs chercheurs du monde entier pourront venir se développer ensemble. Nous espérons que ce nouveau départ jettera les bases d’une croissance durable de notre activité de semi-conducteurs.
