Samsung a dévoilé les premières puces DRAM DDR5 au monde, fabriquées à l’aide de la technologie de fabrication des semi-conducteurs en 12 nm. La société a dévoilé ses puces DRAM DDR5 de 16 Go et a déclaré que leur compatibilité avec les processeurs Zen d’AMD avait déjà été évaluée.
Ces nouvelles puces sont plus économes en énergie et offrent des performances supérieures de 23 % à celles des puces DRAM de la génération précédente. La firme sud-coréenne a déclaré que ce saut technologique a été rendu possible grâce à l’utilisation d’un matériau à haute teneur en VA qui augmente la capacité des cellules. Samsung a également utilisé sa technologie propriétaire pour améliorer les circuits critiques.
Les nouvelles puces DRAM DDR5 de la société utilisent une lithographie multicouche avancée pour obtenir la densité de matrice la plus élevée de l’industrie et offrent une productivité de plaquette supérieure de 20 %. Ces puces sont capables d’une vitesse de transmission des données allant jusqu’à 7,2 Gb/s, ce qui équivaut à traiter deux films 4K de 30 Go en une seule seconde.
Samsung commencera la production de masse de ses puces DRAM DDR5 de classe 12 nm début 2023. Nous pouvons nous attendre à des produits basés sur ces puces DRAM au cours du quatrième trimestre 2023.
Jooyoung Lee, vice-président exécutif de DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics, a déclaré :
« Notre DRAM de la gamme 12 nm sera un élément clé pour favoriser l’adoption de la DRAM DDR5 sur le marché. Avec des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles, nous nous attendons à ce que notre nouvelle DRAM serve de base à des opérations plus durables dans des domaines tels que l’informatique de nouvelle génération, les datacenters et les systèmes axés sur l’IA »
