L’intelligence artificielle redéfinit désormais l’ensemble de l’industrie des semi-conducteurs. À l’occasion du Future of Memory and Storage (FMS) 2026, organisé à Santa Clara en Californie, Samsung Electronics a levé le voile sur sa vision de la mémoire de demain.
Entre nouvelles architectures 3D, stockage optimisé pour les centres de données IA et technologies de calcul intégrées à la mémoire, le géant coréen entend répondre aux besoins grandissants des infrastructures d’intelligence artificielle.
Face à l’explosion des modèles génératifs et des charges de calcul haute performance (HPC), Samsung prépare déjà l’après-HBM4.
zHBM : une mémoire empilée directement sur les accélérateurs IA
La principale annonce du constructeur concerne zHBM (Vertical Stacking), une nouvelle architecture qui rompt avec la disposition traditionnelle des puces mémoire.
Plutôt que de placer la mémoire HBM à côté des accélérateurs IA, Samsung prévoit de l’empiler directement au-dessus du processeur grâce à une technologie d’assemblage par liaison de wafers (wafer bonding).
Selon Samsung, cette approche pourrait offrir jusqu’à 8 fois plus de performances que la future HBM5, une densité mémoire multipliée par plus de 10, une efficacité énergétique jusqu’à trois fois supérieure et une réduction de plus de 50 % de la résistance thermique.
L’architecture prévoit également l’intégration de propriétés intellectuelles (IP) personnalisées entre le processeur et la mémoire, ouvrant la voie à des accélérateurs IA entièrement optimisés.
zNAND-O : un stockage pensé pour l’Edge AI
Samsung a également présenté zNAND-O, une nouvelle génération de mémoire flash dérivée de sa technologie V-NAND. Contrairement aux SSD classiques destinés aux centres de données, zNAND-O cible principalement les usages Edge AI, où les traitements doivent être réalisés localement avec une latence minimale.
Le constructeur développe actuellement cette architecture en versions 4 couches et 8 couches, avec plusieurs objectifs :
- réduire la latence
- améliorer les débits d’entrée/sortie (I/O)
- optimiser la densité de stockage dans des espaces réduits.
Cette technologie pourrait trouver sa place dans les robots, les véhicules autonomes ou encore les équipements industriels connectés.
V10 BV-NAND : Samsung inaugure une nouvelle architecture de mémoire flash
Treize ans après le lancement de la première génération de V-NAND, Samsung franchit une nouvelle étape avec V10 BV-NAND. Cette mémoire devient la première à adopter une architecture Bonding V-NAND, reposant sur une technologie de liaison de wafers.
Parmi les principales caractéristiques annoncées :
| Caractéristiques | V10 BV-NAND |
|---|---|
| Nombre de couches | Plus de 400 couches |
| Technologie | Bonding V-NAND |
| Gain de densité | +58 % par rapport à la V9 |
| Performances | Amélioration des vitesses de lecture, d’écriture et des performances I/O |
L’augmentation du nombre de couches permet d’accroître considérablement la capacité de stockage sans augmenter la surface occupée par les puces.
Une feuille de route complète pour les serveurs IA
Au-delà des nouvelles architectures, Samsung a également détaillé l’évolution de l’ensemble de son portefeuille mémoire.
HBM : déjà tourné vers la cinquième génération
Après avoir lancé la production de la HBM4 basée sur sa mémoire DRAM 1c et un circuit de base gravé en 4 nm, Samsung indique avoir commencé à livrer des échantillons de HBM4E dès le mois de mai.
L’entreprise a également présenté les premiers concepts de la future HBM5, appelée à accompagner la prochaine génération d’accélérateurs IA.
LPDDR5X-PIM : lorsque la mémoire effectue les calculs
Samsung poursuit également le développement de sa technologie Processing-In-Memory (PIM). La solution LPDDR5X-PIM permet d’exécuter directement certains traitements au sein de la mémoire, réduisant ainsi les échanges entre le processeur et la RAM.
Cette approche promet une consommation énergétique plus faible, une réduction de la latence et une accélération des traitements IA embarqués.
Des SSD d’entreprise conçus pour les centres de données IA
Samsung a également présenté les nouvelles générations de SSD professionnels PM1763 et BM1773. Ces modèles visent les infrastructures de calcul intensif, avec des capacités élevées et des débits optimisés pour les centres de données exploitant de grands modèles d’intelligence artificielle.
Samsung mise sur son modèle industriel intégré
Au-delà des produits eux-mêmes, Samsung met en avant un avantage stratégique rarement égalé dans l’industrie. Le groupe reste l’un des rares Integrated Device Manufacturers (IDM) capables de maîtriser l’ensemble de la chaîne de production :
- conception des mémoires
- fabrication des puces
- production en fonderie
- packaging avancé
Cette intégration verticale permet, selon Samsung, d’accélérer le développement de solutions personnalisées pour les grands acteurs de l’IA tout en optimisant simultanément les performances, la consommation énergétique et les délais de mise sur le marché.
Une bataille stratégique qui s’intensifie
Les annonces de Samsung interviennent dans un contexte où la mémoire est devenue l’un des principaux goulets d’étranglement de l’intelligence artificielle. L’augmentation de la taille des modèles génératifs pousse les fabricants à repenser complètement l’architecture des serveurs, où la bande passante mémoire devient aussi importante que la puissance des GPU.
Avec zHBM, BV-NAND et sa prochaine génération de HBM5, Samsung montre qu’il ne souhaite plus seulement fournir des puces mémoire, mais participer directement à la conception des infrastructures IA de demain. Face à des concurrents comme SK hynix et Micron, la bataille ne se joue désormais plus uniquement sur la capacité ou la vitesse, mais sur l’intégration complète entre calcul, mémoire et stockage.
